바티인베스트

SK가 첨단소재 사업의 Financial Story를 발표하였다.

반도체 소재 2.7조, 이차전지 소재 2.4조, 전력·화합물반도체 1조 총 5조1000억원을 2025년까지 투자하여 SK㈜를 세계 1위 첨단소재 기업으로 키운다는 것이 골자다. 

3세대 반도체 분야인 SiC웨이퍼 관련된 내용만 살펴보자. SiC 웨이퍼는 화합물반도체를 생산하기 위해 사용되는 기판으로 필수소재다. 현재 수요대비 공급이 부족하다. 

현재 SK실트론에서 SiC웨이퍼를 생산하고 있다. SK실트론의 SiC웨이퍼 사업은 Dupont의 SiC웨이퍼 사업부를 4억 5천만달러에 인수한 것이다. 

SiC웨이퍼는 전기차, 5G장비, 자율주행, AR등 미 등에 들어가는 전력반도체의 필수 소재다.

전기차에 기존 Si 대신 SiC전력반도체를 사용하면 고전압, 고온에 강하고 크기를 줄일 수 있어 전력소모를 줄일 수 있는 장점이 있다. 그렇기 때문에 전기차에 SiC전력반도체 적용이 확대되는 추세이며 현재 30%에서 2025년에는 2배인 60%까지 늘어난다.

SK실트론의 SiC 웨이퍼는 전력손실량을 77% 줄이고 무게와 부피를 40% 줄였다. SK실트론의 SiC웨이퍼 생산능력을 현재 3만장에서 2025년 60만장으로 확대한다.

SiC웨이퍼 생산 핵심기술은 Chip 생산시 웨이퍼 불량률을 낮추기 위한 균일한 특성을 가질 수 있도록 잉곳(Ingot)을 성장시키는 것이다. 현재 150mm웨이퍼 생산체제에서 200mm웨이퍼를 개발하여 발빠르게 시장을 선점한다는 계획이다. 

따라서 SiC웨이퍼 점유율은 현재 5%로 글로벌 4위인데 2025년까지 점유율 26%, 글로벌 2위로 도약하겠다는 목표다. 1위 업체는 점유율 62%의 Cree다. 

SiC전력반도체는 예스파워테크닉스 인수를 통해 SiC전력반도체 설계 기술을 확보했다. 

GaN전력반도체는 글로벌 업체와 JV를 추진중이다. 

전력화합물 반도체는 연간 생산 2000장에서 85000장으로 22배 이상 늘린다. 

3세대 반도체의 핵심소재인 SiC웨이퍼 생산기업에 투자하려면 SK실트론이 비상장사이기 때문에 SK에 투자해야 한다. SK의 3세대 반도체의 투자방안과 기술 그리고 지금까지의 SK가 해온 업력을 보면 충분히 매력적이다. 

하지만 SK의 덩치가 크기 때문에 다른 업체들에 비해 주가 상승이 높지는 않을 것으로 보인다. 따라서 SiC전력반도체 예스티와 GaN전력반도체 기업인 RFHIC에 관심을 가지는 것이 나아보인다. 

2021.09.21 - [주식/산업] - 3세대 반도체(SiC, GaN) 관련주 #RFHIC #예스티 #SK실트론

세계적으로 반도체 공급부족 현상이 심화되고 있다. 

미국은 반도체 산업 지원법인 ‘칩스 포 아메리카’를통해 미국 내에 반도체 공장 유치를 추진하고 있따. 

유럽도 2030년까지 세계 반도체의 20%를 유럽 내 공장에서 만들겠다고 한다.

중국도 2025년까지 반도체 자급률을 70%까지 높이겠다고 한다. 

아시아에 쏠린 반도체 공장이 코로나로 인해 가동이 중단되자, 각 나라의 산업 생태계 전반에 문제를 일으켰기 때문에 모든 나라가 반도체 자급에 나서고 있다.  

현대차는 차량용 반도체 공급 문제를 극복하기 위해 직접 SiC전력반도체를 개발 중이다. 

SiC(탄화규소)는 GaN(질화갈륨)과 함께 화합물 반도체 소재로 3세대 반도체다.

GaN 전력반도체는 고주파, 저전력용이라서 스마트폰과 같은 고속충전기나 5G 통신장비에서 사용된다. 

SiC 전력반도체는 고전압, 고전력용이라서 전기차·태양광·풍력발전에서 사용된다.  

전기차 분야에서는 SiC전력반도체를 사용하는 이유는 가격도 GaN보다 저렴하고, 기존 Si 반도체 장비로도 생산할 수 있기 때문이다. GaN도 가격만 낮아진다면 충분히 전기차에서 사용할 수 있다. 

GaN은 RFHIC, SiC는 예스티가 관련기업이고, 두 기업 모두 SK와 엮여있다. 

SiC웨이퍼를 생산하는 SK실트론, GaN전력반도체 개발하는 RFHIC, SiC전력반도체 생산하는 예스티 3개 기업을 관심종목에 담아두자. 

차세대 웨이퍼인 SiC 웨이퍼와 전력·화합물 반도체에는 1조원을 투입한다. SK실트론이 보유한 SiC 웨이퍼 경쟁력을 기반으로 전기차·자율주행차의 핵심 소재·제품의 국산화를 추진하기로 했다. SiC 웨이퍼의 경우 7000억원을 투자해 생산능력을 현재 연간 3만장에서 2025년 60만장으로 늘리고, 전력·화합물 반도체 역시 같은 기간 3000억원을 넣어 생산능력을 연간 2000장에서 8만5000장으로 확대하기로 했다. SK㈜는 “웨이퍼-에피(Epi)-칩으로 이어지는 밸류체인을 확보해 글로벌 톱 화합물 반도체 플레이어로 성장할 것”이라고 밝혔다.

https://biz.chosun.com/industry/company/2021/09/15/3OK5XEUX7VCX5OQTTNAGX2PZ3I/?utm_source=naver&utm_medium=original&utm_campaign=biz 

예스티는 예스파워테크닉스의 30억원 규모의 구주를 인수했다. 기존 최대 주주는 예스티의 장동복 대표다. 본 계약을 체결하면서 장 대표가 보유한 예스파워테크닉스의 지분율은 37.2%에서 31.7%로 낮아졌다. 인수 후 예스티의 지분율은 28.7%에서 34.2%로 확대되면서 최대주주가 됐다.

예스티 관계자는 예스파워테크닉스에 대해 "실리콘카바이드(SiC)의 전력 반도체 생산 체제를 갖춘 유일한 기업"이라며 "여전히 외산 의존도가 높은 SiC 전력반도체의 국산화를 선도한다"고 평가했다.

https://newsis.com/view/?id=NISX20210203_0001327995&cID=10401&pID=10400 

RFHIC가 총괄사업자를 맡아 안정적인 과제 수행을 이끈다. SK실트론이 탄화규소(SiC) 기판 및 GaN 에피 제작을, LIG넥스원이 시스템 제작 및 검증을 담당한다.

RFHIC가 GaN 에피 구조를 설계하면 SK실트론이 SiC 기판 및 GaN 에피를 제작한다. 이를 활용해 한국전자통신연구원(ETRI) 반도체 공장에서 GaN MMIC 제작 및 모듈화하면 LIG가 테스트하는 구조다.

http://www.ddaily.co.kr/news/article/?no=213586