IBK투자증권에서 화합물 반도체 리포트를 통해 시장 동향을 살펴보자. 리포트에는 보다 상세한 내용이 많으므로 리포트를 정독해서 읽어보길 권장한다.

전환의_시대,_화합물_반도체_DB하이텍_LX세미콘_예스티_RFHIC_에이프로_Semiconductors&_20210727.pdf
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화합물 반도체는 두 종류 이상의 원소로 구성되어 있는 반도체다. 현재 반도체는 주로 Si(실리콘)인 단원소 반도체다. 

화합물 반도체가 등장한 배경은 반도체 공정이 미세화되면서 생긴 문제점 때문이다. 

 

화합물 반도체는 GaN(질화갈륨)과 SiC(실리콘 카바이드)가 대표적이다. GaN과 SiC는 Si에 비해서 밴드갭도 크고, 고전압, 고열에 강한 특성이 있다. GaN은 스위칭 속도가 빨라서 5G와 같은 통신장비나 충전기, SiC는 고온과 고전압에 강해서 전기차 및 전력변환장치 사용된다. 5G와 전기차는 미래성장산업이기 때문에 화합물반도체가 중요한 사유다.

 

화합물 반도체는 LED, 태양전지, 전력반도체에 사용되는데 그 중에서 전력반도체가 전기차 시장에서 사용되기 때문에 가장 각광을 받고 있다. 

 

글로벌 리딩 기업들은 6,8인치 화합물 반도체를 양산할 수 있는 기술이 있지만 국내는 4인치에 머물러 있다. 

국내에서는 정부 주도로 6~8인치 파운드리 인프라를 구축하려고 하고 있다. 이 파운드리가 RFHIC와 SK실트론의 JV가 아닐까 한다. 

 

국내에서 화합물 반도체 사업을 추진하고 있는 기업리스트다. 이 중에서 현재 실제 기술적인 능력을 가지고 있는 기업은 SK실트론, 예스파워테크닉스, RF머트리얼즈(RFHIC도 포함)다. 

 

예스티는 자회사인 예스파워테크닉스만 보면 된다. 예스파워테크닉스만는 SiC전력반도체 설계 및 양산이 가능한 업체이며 SK가 지분을 투자한 회사다. 현재는 재무재표가 엉망이다. 

하지만 향후 SK와 시너지 효과가 기대된다. SK실트론이 예스파워테크닉스로 SiC 웨이퍼 공급하고, 예스파워테크닉스는 
SK실트론로 SiC전력반도체를 공급하는 구조로 매출의 상승이 예상된다. 

 

 

RFHIC는 GaN트랜지스터를 세계최초로 개발하였고, GaN 국책과제도 수행중이다. 그리고 GaN 전력반도체 파운드리 사업도 추진하고 있다.

RFHIC도 예스티와 마찬가지로 SK와 협업을 한다. 둘다 SK라는 든든한 뒷배가 있다. 하지만 RFHIC는 5G라는 또다른 파이프라인이 있다. 이 파이프라인에서 RFHIC는 원래 강자다. 그렇기 때문에 예스티보다는 RFHIC가 투자하기에는 훨씬 매력적이다.

 

세계적으로 반도체 공급부족 현상이 심화되고 있다. 

미국은 반도체 산업 지원법인 ‘칩스 포 아메리카’를통해 미국 내에 반도체 공장 유치를 추진하고 있따. 

유럽도 2030년까지 세계 반도체의 20%를 유럽 내 공장에서 만들겠다고 한다.

중국도 2025년까지 반도체 자급률을 70%까지 높이겠다고 한다. 

아시아에 쏠린 반도체 공장이 코로나로 인해 가동이 중단되자, 각 나라의 산업 생태계 전반에 문제를 일으켰기 때문에 모든 나라가 반도체 자급에 나서고 있다.  

현대차는 차량용 반도체 공급 문제를 극복하기 위해 직접 SiC전력반도체를 개발 중이다. 

SiC(탄화규소)는 GaN(질화갈륨)과 함께 화합물 반도체 소재로 3세대 반도체다.

GaN 전력반도체는 고주파, 저전력용이라서 스마트폰과 같은 고속충전기나 5G 통신장비에서 사용된다. 

SiC 전력반도체는 고전압, 고전력용이라서 전기차·태양광·풍력발전에서 사용된다.  

전기차 분야에서는 SiC전력반도체를 사용하는 이유는 가격도 GaN보다 저렴하고, 기존 Si 반도체 장비로도 생산할 수 있기 때문이다. GaN도 가격만 낮아진다면 충분히 전기차에서 사용할 수 있다. 

GaN은 RFHIC, SiC는 예스티가 관련기업이고, 두 기업 모두 SK와 엮여있다. 

SiC웨이퍼를 생산하는 SK실트론, GaN전력반도체 개발하는 RFHIC, SiC전력반도체 생산하는 예스티 3개 기업을 관심종목에 담아두자. 

 

 

차세대 웨이퍼인 SiC 웨이퍼와 전력·화합물 반도체에는 1조원을 투입한다. SK실트론이 보유한 SiC 웨이퍼 경쟁력을 기반으로 전기차·자율주행차의 핵심 소재·제품의 국산화를 추진하기로 했다. SiC 웨이퍼의 경우 7000억원을 투자해 생산능력을 현재 연간 3만장에서 2025년 60만장으로 늘리고, 전력·화합물 반도체 역시 같은 기간 3000억원을 넣어 생산능력을 연간 2000장에서 8만5000장으로 확대하기로 했다. SK㈜는 “웨이퍼-에피(Epi)-칩으로 이어지는 밸류체인을 확보해 글로벌 톱 화합물 반도체 플레이어로 성장할 것”이라고 밝혔다.

https://biz.chosun.com/industry/company/2021/09/15/3OK5XEUX7VCX5OQTTNAGX2PZ3I/?utm_source=naver&utm_medium=original&utm_campaign=biz 

 

SK㈜, 첨단소재 세계 1위 출사표 던졌다… 25년까지 5.1兆 투자

SK㈜, 첨단소재 세계 1위 출사표 던졌다 25년까지 5.1兆 투자 반도체 2.7조, 배터리 2.4조원 투자 2025년까지 투자가치 25조원 이상 EBITDA 1.1조원에서 3.4조원 확대

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예스티는 예스파워테크닉스의 30억원 규모의 구주를 인수했다. 기존 최대 주주는 예스티의 장동복 대표다. 본 계약을 체결하면서 장 대표가 보유한 예스파워테크닉스의 지분율은 37.2%에서 31.7%로 낮아졌다. 인수 후 예스티의 지분율은 28.7%에서 34.2%로 확대되면서 최대주주가 됐다.

예스티 관계자는 예스파워테크닉스에 대해 "실리콘카바이드(SiC)의 전력 반도체 생산 체제를 갖춘 유일한 기업"이라며 "여전히 외산 의존도가 높은 SiC 전력반도체의 국산화를 선도한다"고 평가했다.

https://newsis.com/view/?id=NISX20210203_0001327995&cID=10401&pID=10400 

 

예스티, 예스파워테크닉스 최대주주로…30억 인수

[서울=뉴시스] 이승주 기자 = 반도체 및 디스플레이 열 제어 장비 전문기업 예스티(122640)가 관계사인 예스파워테크닉스의 최대주주 지위를 확보했다고 3일 밝혔다

www.newsis.com

 

RFHIC가 총괄사업자를 맡아 안정적인 과제 수행을 이끈다. SK실트론이 탄화규소(SiC) 기판 및 GaN 에피 제작을, LIG넥스원이 시스템 제작 및 검증을 담당한다.

RFHIC가 GaN 에피 구조를 설계하면 SK실트론이 SiC 기판 및 GaN 에피를 제작한다. 이를 활용해 한국전자통신연구원(ETRI) 반도체 공장에서 GaN MMIC 제작 및 모듈화하면 LIG가 테스트하는 구조다.

http://www.ddaily.co.kr/news/article/?no=213586 

 

RFHIC, GaN 반도체 국산화 과제 참여…美·中과 경쟁

- SK실트론·LIG넥스원과 협업[디지털데일리 김도현 기자] RFHIC가 질화갈륨(GaN) 반도체 국산화에 나선다. 정부 과제에 참여하게 됐다.3일 RFHIC는 산업통상자원부와 국방부가 방위산업 소재·부품·

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